发新话题

美国海军研究实验室制备出氮化铌薄膜

北剑_jc   上尉   发表于:2017-07-17 13:00   只看该作者
发帖 1350    精华:0   注册时间:2007-7-27    发短消息        

1楼
该帖被浏览  2,165 次,回复 1 次

[据今日半导体网站2017年7月6日报道] 美国海军研究实验室(NRL)已经证明能够生长过渡金属氮化物Nb2N(氮化铌)薄膜。该薄晶体材料具有与氮化镓(GaN)相似的结构,但其电学和物理性质却显着不同。例如,Nb2N是金属而不是半导体,并且在低温下可以变成超导材料。
电子科技部门宽带隙材料和器件部门主管David Meyer博士说:“我们已经确定,Nb2N具有几个独特的性能,可以带来新的微电子器件和电路。”
新材料的一个特性是如何将其溶解在反应气体中,同时使附近的GaN电子器件不受影响。Meyer和他的团队可以执行正在申请专利的剥离技术,通过在GaN晶体管、LED或电路与材料生长的衬底之间插入一层薄的Nb2N膜,预计可将其转移到几乎任何东西上。
“我们有这种方法,而且它真的很灵活。我们预计有几个与器件级或电路级的GaN技术集成有关的应用将从中受益。”Meyer补充说。
该研究由美国海军和DARPA提供资金。(工业和信息化部电子第一研究所 张慧)
 
分享到:  
TOP
alvinchan75   中校   发表于:2017-07-17 23:06   只看该作者
发帖 11351    精华:0   注册时间:2007-10-13    发短消息        

2楼

发新话题
查看积分策略说明

快速回复主题

[完成后可按 Ctrl+Enter 发布]  预览帖子  恢复数据  清空内容

 使用个人签名
  用户名: 密码:    注册  找回密码